Samsung 128GB DDR5 4800Mhz ECC RDIMM CL40 4Rx4 M321RAGA0B20-CWK

Оперативная память Samsung 128GB DDR5-4800 ECC RDIMM: высокая ёмкость для серверных систем

Samsung 128GB DDR5-4800 ECC RDIMM M321RAGA0B20-CWK — высокоёмкий серверный модуль оперативной памяти для профессиональных систем с поддержкой зарегистрированной DDR5. Один модуль обеспечивает 128 ГБ памяти, работает со скоростью до 4800 MT/s, имеет тайминг CL46 и четырёхранговую организацию 4Rx4.

Большая ёмкость одного RDIMM позволяет создавать серверы и рабочие станции с сотнями гигабайт или терабайтами оперативной памяти при наличии соответствующей поддержки платформы. ECC и Registered-архитектура ориентированы на стабильную эксплуатацию при продолжительных вычислительных нагрузках, виртуализации, работе с базами данных и другими ресурсоёмкими задачами.

128 ГБ в одном модуле DDR5 RDIMM

Samsung M321RAGA0B20-CWK представляет собой одиночный модуль конфигурации 1×128 ГБ. Высокая плотность памяти позволяет существенно увеличивать общий объём RAM, не занимая чрезмерное количество DIMM-слотов.

Такая ёмкость особенно востребована в системах виртуализации, крупных базах данных, аналитических платформах, вычислительных серверах и профессиональных рабочих станциях, где приложения способны использовать очень большие объёмы оперативной памяти.

При установке нескольких одинаковых модулей можно формировать многоканальные конфигурации большой общей ёмкости. Для оптимальной производительности рекомендуется соблюдать схему заполнения каналов, предусмотренную производителем сервера или материнской платы.

DDR5-4800 CL46: до 38,4 ГБ/с на канал

Модуль рассчитан на скорость передачи данных 4800 MT/s и соответствует классу PC5-38400R. Теоретическая пропускная способность одного 64-битного канала достигает 38,4 ГБ/с.

CAS Latency составляет CL46. Рабочее напряжение памяти — 1,1 В. Модуль работает в стандартных режимах DDR5 и предназначен для штатной эксплуатации без необходимости использования разгонных профилей Intel XMP или AMD EXPO.

Фактическая скорость работы определяется возможностями процессора, встроенного контроллера памяти, материнской платы, версии BIOS и схемой заполнения DIMM-слотов. В некоторых конфигурациях с большим количеством модулей скорость памяти может автоматически снижаться в соответствии с ограничениями платформы.

ECC Registered DIMM: защита данных и стабильная работа

Samsung M321RAGA0B20-CWK относится к классу ECC Registered DIMM. Системная ECC позволяет обнаруживать и автоматически исправлять одиночные ошибки данных, возникающие в процессе работы оперативной памяти.

Это особенно важно для серверов, виртуальных машин, баз данных и вычислительных систем, где случайная ошибка RAM может привести к повреждению информации, остановке приложения или необходимости повторного выполнения длительной вычислительной задачи.

Registered-архитектура использует регистр для буферизации командных и адресных сигналов между контроллером памяти и компонентами DRAM. Это снижает электрическую нагрузку на контроллер и способствует стабильной работе систем с большим количеством установленных модулей памяти.

DDR5 дополнительно использует внутреннюю технологию On-Die ECC, которая отвечает за коррекцию ошибок непосредственно внутри микросхем DRAM. Она дополняет системную ECC, но выполняет отдельную функцию и не заменяет полноценную коррекцию ошибок на уровне платформы.

Четырёхранговая организация 4Rx4

Модуль имеет организацию 4Rx4. Обозначение 4R указывает на четыре логических ранга памяти, а x4 — на ширину используемых компонентов DRAM.

Такая организация применяется в высокоёмких серверных модулях, где требуется разместить большой объём памяти в одном DIMM. Конфигурация x4 характерна для профессиональных ECC RDIMM и используется в системах, ориентированных на повышенную надёжность и большую плотность RAM.

Из-за высокой ёмкости и четырёхранговой организации совместимость M321RAGA0B20-CWK особенно важно проверять для конкретного процессора и серверной платформы.

Высокая ёмкость для виртуализации и вычислений

Объём 128 ГБ на один модуль позволяет создавать системы с очень большим запасом оперативной памяти. Это важно для платформ виртуализации, где RAM распределяется между большим количеством виртуальных машин, а также для баз данных и аналитических приложений, работающих с крупными наборами данных непосредственно в памяти.

Высокая ёмкость востребована и в профессиональных рабочих станциях: при работе со сложными 3D-сценами, инженерными моделями, научными расчётами и локальными ИИ-задачами объём системной памяти может быть не менее важен, чем производительность процессора или GPU.

Профессиональные сценарии применения

• Виртуализация: размещение большого количества виртуальных машин и контейнеров.
• Серверы баз данных: обработка крупных рабочих наборов и in-memory задач.
• Корпоративные серверы: ERP, CRM, терминальные службы и критически важные приложения.
• Высокопроизводительные вычисления: моделирование, аналитика и задачи с интенсивным использованием RAM.
• Рабочие станции: CAD, CAE, BIM, инженерное проектирование и работа с крупными проектами.
• 3D-визуализация: сложные сцены, текстуры высокого разрешения, симуляции и кэши рендеринга.
• Искусственный интеллект: подготовка датасетов, локальный инференс, RAG-системы и обработка больших массивов данных.
• Научные вычисления: численное моделирование, анализ данных и продолжительные многопоточные расчёты.

Детализированные технические характеристики

• Производитель: Samsung.
• Партномер: M321RAGA0B20-CWK.
• Количество модулей: 1.
• Объём памяти: 128 ГБ.
• Конфигурация: 1×128 ГБ.
• Тип памяти: DDR5 SDRAM.
• Тип модуля: ECC Registered DIMM.
• Скорость передачи данных: 4800 MT/s.
• Стандарт памяти: DDR5-4800 / PC5-38400R.
• Теоретическая пропускная способность: до 38,4 ГБ/с.
• CAS Latency: CL46.
• Ранг памяти: 4Rx4.
• Количество рангов: 4.
• Ширина компонентов: x4.
• Коррекция ошибок: ECC.
• Внутренняя коррекция DDR5: On-Die ECC.
• Буферизация: Registered.
• Форм-фактор: 288-pin DIMM.
• Рабочее напряжение: 1,1 В.

Требования к совместимости

Samsung M321RAGA0B20-CWK предназначен для систем с поддержкой DDR5 ECC Registered DIMM. Он несовместим с обычными настольными материнскими платами, рассчитанными исключительно на небуферизованную память DDR5 UDIMM.

Для данного модуля особенно важно проверить поддержку 128 ГБ на один DIMM и организации 4Rx4 со стороны процессора, материнской платы и установленной версии BIOS. Само наличие DDR5-слотов и поддержка RDIMM меньшей ёмкости не гарантируют работу высокоёмкого модуля 128 ГБ.

Для работы на скорости 4800 MT/s соответствующий режим должен поддерживаться контроллером памяти и платформой. При определённых схемах заполнения каналов или большом количестве установленных DIMM итоговая скорость может быть ниже номинальной.

При построении многоканальной конфигурации рекомендуется использовать одинаковые модули с совпадающими партномерами, ёмкостью, скоростью и ранговой организацией.

Ключевые преимущества Samsung 128GB DDR5-4800

• Очень высокая ёмкость: 128 ГБ в одном DIMM-слоте.
• Скорость: до 4800 MT/s.
• Пропускная способность: до 38,4 ГБ/с на канал.
• Тайминг: CL46.
• Коррекция ошибок: полноценная системная ECC.
• Registered-архитектура: рассчитана на профессиональные серверные системы.
• Четырёхранговая организация: 4Rx4.
• Рабочее напряжение: 1,1 В.
• Профессиональное применение: виртуализация, базы данных, серверы, рабочие станции, ИИ и HPC.