Samsung 128GB DDR5 6400Mhz ECC RDIMM CL52 2Rx4 M321RAJA0MB2-CCP

Оперативная память Samsung 128GB DDR5-6400 ECC RDIMM: высокая ёмкость и скорость для серверов

Samsung 128GB DDR5-6400 ECC RDIMM M321RAJA0MB2-CCP — высокоёмкий серверный модуль оперативной памяти для современных серверов, вычислительных систем и профессиональных рабочих станций с поддержкой зарегистрированной DDR5. Один модуль обеспечивает 128 ГБ памяти, работает со скоростью до 6400 MT/s, имеет тайминг CL52 и двухранговую организацию 2Rx4.

Сочетание большой ёмкости, высокой пропускной способности, полноценной системной ECC и Registered-архитектуры делает модуль подходящим для виртуализации, баз данных, высокопроизводительных вычислений, инженерных задач, аналитики и систем искусственного интеллекта. Память рассчитана на штатную эксплуатацию по стандартам JEDEC без использования разгонных профилей.

128 ГБ в одном модуле DDR5 RDIMM

Samsung M321RAJA0MB2-CCP представляет собой одиночный модуль конфигурации 1×128 ГБ. Высокая ёмкость одного DIMM позволяет существенно увеличить общий объём оперативной памяти системы, сохраняя доступные слоты для дальнейшего масштабирования.

Такая плотность особенно востребована в серверах виртуализации, крупных базах данных, аналитических системах и профессиональных рабочих станциях, где приложения способны использовать сотни гигабайт оперативной памяти.

При установке нескольких одинаковых модулей можно создавать многоканальные конфигурации большой общей ёмкости. Для максимальной производительности рекомендуется соблюдать схему заполнения каналов, установленную производителем сервера или материнской платы.

DDR5-6400 CL52: до 51,2 ГБ/с на канал

Модуль рассчитан на скорость передачи данных 6400 MT/s и соответствует классу PC5-51200R. Теоретическая пропускная способность одного 64-битного канала достигает 51,2 ГБ/с, что обеспечивает быстрый обмен данными между оперативной памятью и центральным процессором.

CAS Latency составляет CL52. Рабочее напряжение памяти — 1,1 В. Модуль работает по стандартным параметрам JEDEC и не требует использования Intel XMP или AMD EXPO для достижения штатных характеристик.

Фактическая скорость оперативной памяти зависит от процессора, встроенного контроллера памяти, материнской платы, версии BIOS и количества установленных модулей на один канал. При ограничениях платформы память может работать на более низкой поддерживаемой скорости.

ECC Registered DIMM: защита данных профессионального уровня

Samsung M321RAJA0MB2-CCP относится к классу ECC Registered DIMM. Полноценная системная ECC позволяет обнаруживать и автоматически исправлять одиночные ошибки данных, возникающие при работе оперативной памяти.

Для серверов, виртуальных машин, баз данных и вычислительных систем такая защита особенно важна. Ошибка RAM может привести к повреждению информации, сбою приложения, остановке виртуальной машины или необходимости повторного выполнения продолжительной вычислительной задачи.

Registered-архитектура использует регистр для буферизации командных и адресных сигналов между контроллером памяти и компонентами DRAM. Это снижает электрическую нагрузку на контроллер и способствует стабильной работе систем с большим количеством установленных модулей.

Архитектура DDR5 также предусматривает внутреннюю технологию On-Die ECC, которая отвечает за коррекцию ошибок непосредственно внутри микросхем DRAM. Она дополняет системную ECC, но выполняет отдельную функцию и не заменяет полноценную коррекцию ошибок на уровне платформы.

Двухранговая организация 2Rx4

Модуль имеет организацию 2Rx4. Обозначение 2R означает наличие двух рангов памяти, а x4 указывает на ширину используемых компонентов DRAM.

Двухранговая структура позволяет контроллеру памяти чередовать обращения между рангами и эффективно использовать доступную пропускную способность. Организация x4 широко применяется в высокоёмких серверных модулях ECC RDIMM.

Samsung M321RAJA0MB2-CCP выполнен в стандартном серверном форм-факторе 288-pin DIMM и предназначен для платформ с поддержкой высокоёмких DDR5 Registered DIMM.

Высокая ёмкость для виртуализации и вычислений

Объём 128 ГБ на один модуль позволяет создавать системы с очень большим запасом оперативной памяти. Это особенно полезно для серверов виртуализации, где RAM распределяется между большим количеством виртуальных машин, а также для баз данных и аналитических приложений, работающих с крупными рабочими наборами непосредственно в памяти.

Высокая ёмкость востребована и в профессиональных рабочих станциях: при работе со сложными 3D-сценами, инженерными моделями, научными расчётами и локальными ИИ-задачами доступный объём системной памяти может напрямую влиять на возможность обработки крупных проектов.

Профессиональные сценарии применения

• Виртуализация: запуск большого количества виртуальных машин, контейнеров и изолированных рабочих сред.
• Серверы баз данных: обработка крупных рабочих наборов и in-memory приложений.
• Высокопроизводительные вычисления: моделирование, аналитика и задачи с интенсивным использованием оперативной памяти.
• Профессиональные рабочие станции: CAD, CAE, BIM, инженерное проектирование и обработка крупных проектов.
• 3D-визуализация: сложные сцены, текстуры высокого разрешения, симуляции и кэши рендеринга.
• Искусственный интеллект: подготовка датасетов, локальный инференс, RAG-системы и обработка больших массивов информации.
• Научные вычисления: численное моделирование, анализ данных и продолжительные многопоточные расчёты.
• Корпоративная инфраструктура: ERP, CRM, терминальные серверы и другие постоянно работающие сервисы.

Детализированные технические характеристики

• Производитель: Samsung.
• Партномер: M321RAJA0MB2-CCP.
• Количество модулей: 1.
• Объём памяти: 128 ГБ.
• Конфигурация: 1×128 ГБ.
• Тип памяти: DDR5 SDRAM.
• Тип модуля: ECC Registered DIMM.
• Скорость передачи данных: 6400 MT/s.
• Стандарт памяти: DDR5-6400 / PC5-51200R.
• Теоретическая пропускная способность: до 51,2 ГБ/с.
• CAS Latency: CL52.
• Ранг памяти: 2Rx4.
• Количество рангов: 2.
• Ширина компонентов: x4.
• Коррекция ошибок: ECC.
• Внутренняя коррекция DDR5: On-Die ECC.
• Буферизация: Registered.
• Профиль настройки: JEDEC.
• Форм-фактор: 288-pin DIMM.
• Рабочее напряжение: 1,1 В.

Требования к совместимости

Samsung M321RAJA0MB2-CCP предназначен для систем с поддержкой DDR5 ECC Registered DIMM. Модуль несовместим с обычными настольными материнскими платами, рассчитанными только на небуферизованную память DDR5 UDIMM.

Для модуля объёмом 128 ГБ особенно важно проверить поддержку такой ёмкости одним DIMM со стороны процессора, материнской платы и установленной версии BIOS. Само наличие DDR5-слотов и поддержка RDIMM меньшей ёмкости не гарантируют совместимость.

Для работы на скорости 6400 MT/s соответствующий режим должен поддерживаться контроллером памяти и платформой. При определённых схемах заполнения каналов или большом количестве DIMM итоговая скорость может быть ниже номинальной.

При построении многоканальной конфигурации рекомендуется использовать одинаковые модули с совпадающими партномерами, объёмом, скоростью и ранговой организацией.

Ключевые преимущества Samsung 128GB DDR5-6400

• Очень высокая ёмкость: 128 ГБ в одном DIMM-слоте.
• Высокая скорость: до 6400 MT/s.
• Пропускная способность: до 51,2 ГБ/с на канал.
• Тайминг: CL52.
• Коррекция ошибок: полноценная системная ECC.
• Registered-архитектура: рассчитана на профессиональные серверные конфигурации.
• Двухранговая организация: 2Rx4.
• Стандарт JEDEC: штатная работа при напряжении 1,1 В.
• Профессиональное применение: виртуализация, базы данных, серверы, рабочие станции, ИИ, аналитика и HPC.